Wydział Technologii i Inżynierii Chemicznej - Inżynieria Materiałów i Nanomateriałów (S2)
specjalność: Inżynieria polimerów i biomateriałów
Sylabus przedmiotu Materiały i nanomateriały w elektronice:
Informacje podstawowe
Kierunek studiów | Inżynieria Materiałów i Nanomateriałów | ||
---|---|---|---|
Forma studiów | studia stacjonarne | Poziom | drugiego stopnia |
Tytuł zawodowy absolwenta | magister inżynier | ||
Obszary studiów | charakterystyki PRK, kompetencje inżynierskie PRK | ||
Profil | ogólnoakademicki | ||
Moduł | — | ||
Przedmiot | Materiały i nanomateriały w elektronice | ||
Specjalność | Inżynieria materiałowa i nanotechnologia | ||
Jednostka prowadząca | Katedra Technologii Chemicznej Nieorganicznej i Inżynierii Środowiska | ||
Nauczyciel odpowiedzialny | Dariusz Moszyński <Dariusz.Moszynski@zut.edu.pl> | ||
Inni nauczyciele | |||
ECTS (planowane) | 1,0 | ECTS (formy) | 1,0 |
Forma zaliczenia | egzamin | Język | polski |
Blok obieralny | — | Grupa obieralna | — |
Wymagania wstępne
KOD | Wymaganie wstępne |
---|---|
W-1 | brak |
Cele przedmiotu
KOD | Cel modułu/przedmiotu |
---|---|
C-1 | Zapoznanie studentów z materiałami wykorzystywanymi w elektronce |
C-2 | Zapoznanie studentów z technologiami wytwarzania elementów elektonicznych |
Treści programowe z podziałem na formy zajęć
KOD | Treść programowa | Godziny |
---|---|---|
wykłady | ||
T-W-1 | Wytwarzanie czystych materiałów do produkcji elementów półprzewodnikowych | 4 |
T-W-2 | Procesy wytwarzania półprzewodnikowych elementów elektroniki: Proces litograficzny | 5 |
T-W-3 | Procesy wytwarzania cienkich warstw | 3 |
T-W-4 | Metody charakteryzacji materiałów wykorzystywanych w elektronice | 2 |
T-W-5 | Produkcja układów scalonych | 1 |
15 |
Obciążenie pracą studenta - formy aktywności
KOD | Forma aktywności | Godziny |
---|---|---|
wykłady | ||
A-W-1 | uczestnictwo w zajęciach | 15 |
A-W-2 | zapoznanie się z literaturą przedmiotu | 6 |
A-W-3 | przygotowanie się do zaliczenia | 4 |
A-W-4 | Konsultacje | 3 |
A-W-5 | Egzamin | 2 |
30 |
Metody nauczania / narzędzia dydaktyczne
KOD | Metoda nauczania / narzędzie dydaktyczne |
---|---|
M-1 | Wykład problemowy |
M-2 | Metoda przypadków |
Sposoby oceny
KOD | Sposób oceny |
---|---|
S-1 | Ocena formująca: sprawdzian pisemny |
S-2 | Ocena podsumowująca: Egzamin |
Zamierzone efekty uczenia się - wiedza
Zamierzone efekty uczenia się | Odniesienie do efektów kształcenia dla kierunku studiów | Odniesienie do efektów zdefiniowanych dla obszaru kształcenia | Odniesienie do efektów uczenia się prowadzących do uzyskania tytułu zawodowego inżyniera | Cel przedmiotu | Treści programowe | Metody nauczania | Sposób oceny |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IMiN_2A_D1-05_W01 opisuje zastosowanie materiałów nanometrycznych w elektronice oraz technologie ich wytwarzania | IMiN_2A_W01 | — | — | C-1, C-2 | T-W-1, T-W-2, T-W-3, T-W-5 | M-1, M-2 | S-1 |
IMiN_2A_D1-05_W02 dobiera sposoby charakteryzacji nanomateriałów wykorzystywanych w elektronice | IMiN_2A_W01 | — | — | C-1 | T-W-4 | M-1, M-2 | S-1 |
Kryterium oceny - wiedza
Efekt uczenia się | Ocena | Kryterium oceny |
---|---|---|
IMiN_2A_D1-05_W01 opisuje zastosowanie materiałów nanometrycznych w elektronice oraz technologie ich wytwarzania | 2,0 | |
3,0 | Student zna zastosowania materiałów nanometrycznych w elektronice. Wiedza studenta na temat omawianych zagadnien jest na poziomie 60%. | |
3,5 | ||
4,0 | ||
4,5 | ||
5,0 | ||
IMiN_2A_D1-05_W02 dobiera sposoby charakteryzacji nanomateriałów wykorzystywanych w elektronice | 2,0 | |
3,0 | Student zna podstawowemetody fizykochemiczne służące do charakteryzacji materiałów wykorzystywanych w elektronice. Wiedza studneta na temat omawianych zagadnien jest na poziomie 60%. | |
3,5 | ||
4,0 | ||
4,5 | ||
5,0 |
Literatura podstawowa
- Praca zbiorowa, Technologie mikroelektroniczne, Politechnika Śląska, Gliwice, 2000
Literatura dodatkowa
- A. Misra, J. D. Hogan, R. Chorush, Handbook of chemicals and gases for the semiconductor industry, Wiley, New York, 2002
- G. S May, S. M. Sze, Fundamentals of semiconductor fabrication, Wiley, New York, 2004