Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie

Wydział Elektryczny - Elektronika i telekomunikacja (S1)

Sylabus przedmiotu Elementy półprzewodnikowe:

Informacje podstawowe

Kierunek studiów Elektronika i telekomunikacja
Forma studiów studia stacjonarne Poziom pierwszego stopnia
Tytuł zawodowy absolwenta inżynier
Obszary studiów nauk technicznych, studiów inżynierskich
Profil ogólnoakademicki
Moduł
Przedmiot Elementy półprzewodnikowe
Specjalność przedmiot wspólny
Jednostka prowadząca Instytut Fizyki
Nauczyciel odpowiedzialny Sławomir Kaczmarek <Slawomir.Kaczmarek@zut.edu.pl>
Inni nauczyciele Witold Mickiewicz <Witold.Mickiewicz@zut.edu.pl>
ECTS (planowane) 4,0 ECTS (formy) 4,0
Forma zaliczenia zaliczenie Język polski
Blok obieralny Grupa obieralna

Formy dydaktyczne

Forma dydaktycznaKODSemestrGodzinyECTSWagaZaliczenie
wykładyW2 15 2,00,44zaliczenie
laboratoriaL2 15 1,00,26zaliczenie
ćwiczenia audytoryjneA2 15 1,00,30zaliczenie

Wymagania wstępne

KODWymaganie wstępne
W-1Zna podstawy fizyki półprzewodników, strukturę pasmową materiałów półprzewodnikowych i potrafi ocenić przydatność określonego materiału do konstrukcji elementów półprzewodnikowych.
W-2Ma ogólną wiedzę w dziedzinie fizyki, zna podstawowe prawa fizyczne dotyczące ciał stałych, potrafi wskazać różnice w zakresie właściwości fizycznych pomiędzy półprzewodnikami, metalami oraz izolatorami.
W-3Potrafi rozróżnić w opisie graficznym i funkcjonalnym różne elementy obwodów elektrycznych, potrafi przeprowadzić analizę prostych obwodów elektrycznych.

Cele przedmiotu

KODCel modułu/przedmiotu
C-1Zdobycie wiedzy na temat parametrów fizycznych i technologicznych materiałów stosowanych do konstrukcji nowoczesnych elementów półprzewodnikowych.
C-2Zdobycie wiedzy na temat budowy oraz zasad działania różnych typów dyskretnych elementów półprzewodnikowych.
C-3Wyrobienie umiejętności wyboru właściwych materiałów do konstrukcji elementów półprzewodnikowych oraz właściwych elementów do konstrukcji układów elektrycznych oraz umiejętnosci wyboru określonych układów scalonych w praktycznych aplikacjach układowych.
C-4Wypracowanie umiejętności doboru przyrządów półprzewodnikowych z oferty handlowej producentów.
C-5Wyrobienie umiejętności diagnozowania uszkodzeń elementów półprzewodnikowych.
C-6Zdobycie umiejętności pomiarów charakterystyk i parametrów elementów półprzewodnikowych.

Treści programowe z podziałem na formy zajęć

KODTreść programowaGodziny
ćwiczenia audytoryjne
T-A-1Obliczanie koncentracji nośników prądu w półprzewodnikach czystych i domieszkowanych.2
T-A-2Obliczanie szerokości warstwy zaporowej w złączu p-n i pojemności złączowej statycznej i dynamicznej.2
T-A-3Obliczanie charakterystyk prądowo-napięciowych złącza p-n w funkcji jego parametrów fizycznych. Obliczanie prądów wstecznych i parametrów przebiciowych złącza p-n.2
T-A-4Kolokwium z pierwszej części zajęć.1
T-A-5Obliczanie parametrów statycznych i dynamicznych tranzystora bipolarnego.2
T-A-6Obliczanie parametrów statycznych i dynamicznych tranzystora unipolarnego.2
T-A-7Obliczanie układów polaryzacji tranzystorów bipolarnych i unipolarnych.3
T-A-8Kolokwium z drugiej części zajęć.1
15
laboratoria
T-L-1Zapoznanie się z regulaminem laboratorium, przepisami BHP, metodami analizy niepewności pomiarowych i prezentacji wyników.1
T-L-2Badanie diod półprzewodnikowych4
T-L-3Badanie tranzystorów bipolarnych4
T-L-4Badanie tranzystorów unipolarnych4
T-L-5Rozliczenie sprawozdań połączone z kolokwium ustnym.2
15
wykłady
T-W-1Energetyczny model pasmowy. Złącze p-n. Zjawiska fizyczne w złączu niespolaryzowanym i spolaryzowanym. Charakterystyka statyczna złącza. Wpływ temperatury na właściwości złącza. Właściwości impulsowe złącza. Przebicie złącza.2
T-W-2Diody półprzewodnikowe. Budowa, właściwości, parametry, oznaczenia, charakterystyki, zastosowanie i podstawowe układy pracy diod: prostowniczych, uniwersalnych, stabilizacyjnych, impulsowych, pojemnościowych. Uszkodzenia i diagnostyka.3
T-W-3Tranzystor bipolarny. Rodzaje, oznaczenia i zasada działania. Zakresy pracy i konfiguracje. Charakterystyki statyczne. Wpływ temperatury na właściwości tranzystora. Podstawowe zastosowania. Typy uszkodzeń i diagnostyka.3
T-W-4Tranzystor polowy. Zasada pracy, oznaczenia i klasyfikacja. Tranzystory złączowe. Tranzystory z izolowaną bramką. Charakterystyki statyczne. Zakresy pracy i parametry. Przykłady zastosowań. Typy uszkodzeń i diagnostyka.2
T-W-5Przyrządy przełączające. Rodzaje elementów przełączających. Zasada działania, budowa, parametry, charakterystyki triaków i tyrystorów. Sposoby i układy włączania i wyłączania tyrystorów. Zastosowania elementów przełączających. Sposoby odprowadzania ciepła z elementów półprzewodnikowych.2
T-W-6Układy scalone analogowe i cyfrowe. Technologia wytwarzania układów scalonych. Przykłady analogowych i cyfrowych układów scalonych. Układy scalone w optoelektronice.3
15

Obciążenie pracą studenta - formy aktywności

KODForma aktywnościGodziny
ćwiczenia audytoryjne
A-A-1Udział w ćwiczeniach audytoryjnych15
A-A-2Przygotowanie do ćwiczeń audytoryjnych (praca własna)5
A-A-3Udział w konsultacjach do ćwiczeń5
A-A-4Przygotowanie do kolokwiów5
30
laboratoria
A-L-1Uczestnictwo w ćwiczeniach laboratoryjnych15
A-L-2Przygotowanie teoretyczne do ćwiczeń laboratoryjnych6
A-L-3Opracowanie sprawozdania z ćwiczeń laboratoryjnych6
A-L-4Udział w konsultacjach do ćwiczeń laboratoryjnych3
30
wykłady
A-W-1Uczestnictwo w wykładach.15
A-W-2Przygotowanie do egzaminu.15
A-W-3Studiowanie literatury.15
A-W-4Udział w konsultacjach.15
60

Metody nauczania / narzędzia dydaktyczne

KODMetoda nauczania / narzędzie dydaktyczne
M-1Wykład informacyjny z użyciem rzutnika pisma/projektora multimedialnego.
M-2Ćwiczenia laboratoryjne.
M-3Ćwiczenia audytoryjne.
M-4Kolokwia sprawdzające przygotowanie do ćwiczeń oraz podczas prowadzenia ćwiczeń laboratoryjnych i audytoryjnych.

Sposoby oceny

KODSposób oceny
S-1Ocena formująca: Egzamin pisemny + ustny (przy braku jednoznacznej oceny z egzaminu pisemnego).
S-2Ocena podsumowująca: Kolokwia zaliczające ćwiczenia audytoryjne i laboratoryjne.
S-3Ocena formująca: Aktywność na wykładzie i podczas ćwiczeń audytoryjnych i laboratoryjnych.

Zamierzone efekty kształcenia - wiedza

Zamierzone efekty kształceniaOdniesienie do efektów kształcenia dla kierunku studiówOdniesienie do efektów zdefiniowanych dla obszaru kształceniaOdniesienie do efektów kształcenia prowadzących do uzyskania tytułu zawodowego inżynieraCel przedmiotuTreści programoweMetody nauczaniaSposób oceny
ET_1A_C03_W06
Student ma wiedzę z zakresu budowy i zasad działania podstawowych elementów półprzewodnikowych niezbędną do wykorzystania tych elementów w bardziej złożonych zespołach półprzewodnikowych
ET_1A_W05, ET_1A_W13, ET_1A_W16T1A_W02, T1A_W03, T1A_W04, T1A_W07InzA_W02C-1, C-2, C-3, C-4, C-5, C-6T-W-1, T-W-3, T-W-2, T-W-4, T-W-6, T-A-5, T-A-6, T-L-2, T-L-3, T-L-4M-1, M-2, M-3, M-4S-1, S-2, S-3

Zamierzone efekty kształcenia - umiejętności

Zamierzone efekty kształceniaOdniesienie do efektów kształcenia dla kierunku studiówOdniesienie do efektów zdefiniowanych dla obszaru kształceniaOdniesienie do efektów kształcenia prowadzących do uzyskania tytułu zawodowego inżynieraCel przedmiotuTreści programoweMetody nauczaniaSposób oceny
ET_1A_C03_U01
Student potrafi wykorzystać poznane metody i proste modele matematyczne do analizy i oceny działania elementów półprzewodnikowych.
ET_1A_U06, ET_1A_U10, ET_1A_U11T1A_U08, T1A_U09InzA_U01, InzA_U02, InzA_U05C-1, C-2, C-3, C-4, C-5, C-6T-W-3, T-W-2, T-W-4, T-W-6, T-A-4, T-A-5, T-A-6, T-L-2, T-L-3, T-L-4M-1, M-2, M-3, M-4S-1, S-2, S-3
ET_1A_C03_U02
Student potrafi pracować indywidualnie i w zespole, a także kierować małym zespołem
ET_1A_U06, ET_1A_U10, ET_1A_U11T1A_U08, T1A_U09InzA_U01, InzA_U02, InzA_U05C-1, C-2, C-3, C-4, C-5, C-6T-W-3, T-W-2, T-W-4, T-W-5, T-W-6, T-A-5, T-A-6, T-L-4M-1, M-2, M-3, M-4S-1, S-2, S-3
ET_1A_C03_U03
Student potrafi opracować dokumentację wyników realizacji eksperymentu oraz sporządzić opracowanie zawierające omówienie tych wyników
ET_1A_U06, ET_1A_U10, ET_1A_U11T1A_U08, T1A_U09InzA_U01, InzA_U02, InzA_U05C-2, C-3, C-4, C-5, C-6T-W-3, T-W-2, T-W-4, T-W-6, T-A-5, T-A-6, T-L-2, T-L-3, T-L-4M-1, M-2, M-3, M-4S-1, S-2, S-3
ET_1A_C03_U04
Student potrafi przygotować prezentację oraz przeprowadzić dyskusję na jej temat
ET_1A_U06, ET_1A_U10, ET_1A_U11T1A_U08, T1A_U09InzA_U01, InzA_U02, InzA_U05C-1, C-2, C-3, C-4, C-5, C-6T-W-3, T-W-2, T-W-4, T-W-6, T-A-5, T-A-6, T-L-2, T-L-3, T-L-4M-1, M-2, M-3, M-4S-1, S-2, S-3

Kryterium oceny - wiedza

Efekt kształceniaOcenaKryterium oceny
ET_1A_C03_W06
Student ma wiedzę z zakresu budowy i zasad działania podstawowych elementów półprzewodnikowych niezbędną do wykorzystania tych elementów w bardziej złożonych zespołach półprzewodnikowych
2,0
3,0Student ma wiedzę z zakresu budowy i zasad działania podstawowych elementów półprzewodnikowych niezbędną do wykorzystania tych elementów w bardziej złożonych zespołach półprzewodnikowych
3,5
4,0
4,5
5,0

Kryterium oceny - umiejętności

Efekt kształceniaOcenaKryterium oceny
ET_1A_C03_U01
Student potrafi wykorzystać poznane metody i proste modele matematyczne do analizy i oceny działania elementów półprzewodnikowych.
2,0
3,0Student potrafi wykorzystać poznane metody i proste modele matematyczne do analizy i oceny działania elementów półprzewodnikowych.
3,5
4,0
4,5
5,0
ET_1A_C03_U02
Student potrafi pracować indywidualnie i w zespole, a także kierować małym zespołem
2,0
3,0Student potrafi pracować indywidualnie i w zespole, a także kierować małym zespołem
3,5
4,0
4,5
5,0
ET_1A_C03_U03
Student potrafi opracować dokumentację wyników realizacji eksperymentu oraz sporządzić opracowanie zawierające omówienie tych wyników
2,0
3,0Student potrafi opracować dokumentację wyników realizacji eksperymentu oraz sporządzić opracowanie zawierające omówienie tych wyników
3,5
4,0
4,5
5,0
ET_1A_C03_U04
Student potrafi przygotować prezentację oraz przeprowadzić dyskusję na jej temat
2,0
3,0Student potrafi przygotować prezentację oraz przeprowadzić dyskusję na jej temat
3,5
4,0
4,5
5,0

Literatura podstawowa

  1. W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, Warszawa, 1987
  2. D.A. Neamen, Electronic circuit analysis and design, IRWIN, New York, 1996
  3. J.D. Plammer, M. Deal, P.B. Griffin, Silicon VLSI technology, Prentice Hall, New York, 2000
  4. J. Baranowski, Układy elektroniczne, WNT, Warszawa, 2003

Literatura dodatkowa

  1. S.M. Kaczmarek, Wykłady: Przyrządy półprzewodnikowe, Strona internetowa: www.skaczmarek.zut.edu.pl, Szczecin, 2011
  2. Rusek M., Pasierbinski J., Elementy i układy elektroniczne w pytaniach i odpowiedziach, WNT, Warszawa, 1997
  3. K. Bracławski, J. Maciak, K. Sadowski, Laboratorium przyrządów półprzewodnikowych. Diody półprzewodnikowe, Wydawnictwo Politechniki Warszawskiej, Warszawa, 1999

Treści programowe - ćwiczenia audytoryjne

KODTreść programowaGodziny
T-A-1Obliczanie koncentracji nośników prądu w półprzewodnikach czystych i domieszkowanych.2
T-A-2Obliczanie szerokości warstwy zaporowej w złączu p-n i pojemności złączowej statycznej i dynamicznej.2
T-A-3Obliczanie charakterystyk prądowo-napięciowych złącza p-n w funkcji jego parametrów fizycznych. Obliczanie prądów wstecznych i parametrów przebiciowych złącza p-n.2
T-A-4Kolokwium z pierwszej części zajęć.1
T-A-5Obliczanie parametrów statycznych i dynamicznych tranzystora bipolarnego.2
T-A-6Obliczanie parametrów statycznych i dynamicznych tranzystora unipolarnego.2
T-A-7Obliczanie układów polaryzacji tranzystorów bipolarnych i unipolarnych.3
T-A-8Kolokwium z drugiej części zajęć.1
15

Treści programowe - laboratoria

KODTreść programowaGodziny
T-L-1Zapoznanie się z regulaminem laboratorium, przepisami BHP, metodami analizy niepewności pomiarowych i prezentacji wyników.1
T-L-2Badanie diod półprzewodnikowych4
T-L-3Badanie tranzystorów bipolarnych4
T-L-4Badanie tranzystorów unipolarnych4
T-L-5Rozliczenie sprawozdań połączone z kolokwium ustnym.2
15

Treści programowe - wykłady

KODTreść programowaGodziny
T-W-1Energetyczny model pasmowy. Złącze p-n. Zjawiska fizyczne w złączu niespolaryzowanym i spolaryzowanym. Charakterystyka statyczna złącza. Wpływ temperatury na właściwości złącza. Właściwości impulsowe złącza. Przebicie złącza.2
T-W-2Diody półprzewodnikowe. Budowa, właściwości, parametry, oznaczenia, charakterystyki, zastosowanie i podstawowe układy pracy diod: prostowniczych, uniwersalnych, stabilizacyjnych, impulsowych, pojemnościowych. Uszkodzenia i diagnostyka.3
T-W-3Tranzystor bipolarny. Rodzaje, oznaczenia i zasada działania. Zakresy pracy i konfiguracje. Charakterystyki statyczne. Wpływ temperatury na właściwości tranzystora. Podstawowe zastosowania. Typy uszkodzeń i diagnostyka.3
T-W-4Tranzystor polowy. Zasada pracy, oznaczenia i klasyfikacja. Tranzystory złączowe. Tranzystory z izolowaną bramką. Charakterystyki statyczne. Zakresy pracy i parametry. Przykłady zastosowań. Typy uszkodzeń i diagnostyka.2
T-W-5Przyrządy przełączające. Rodzaje elementów przełączających. Zasada działania, budowa, parametry, charakterystyki triaków i tyrystorów. Sposoby i układy włączania i wyłączania tyrystorów. Zastosowania elementów przełączających. Sposoby odprowadzania ciepła z elementów półprzewodnikowych.2
T-W-6Układy scalone analogowe i cyfrowe. Technologia wytwarzania układów scalonych. Przykłady analogowych i cyfrowych układów scalonych. Układy scalone w optoelektronice.3
15

Formy aktywności - ćwiczenia audytoryjne

KODForma aktywnościGodziny
A-A-1Udział w ćwiczeniach audytoryjnych15
A-A-2Przygotowanie do ćwiczeń audytoryjnych (praca własna)5
A-A-3Udział w konsultacjach do ćwiczeń5
A-A-4Przygotowanie do kolokwiów5
30
(*) 1 punkt ECTS, odpowiada około 30 godzinom aktywności studenta

Formy aktywności - laboratoria

KODForma aktywnościGodziny
A-L-1Uczestnictwo w ćwiczeniach laboratoryjnych15
A-L-2Przygotowanie teoretyczne do ćwiczeń laboratoryjnych6
A-L-3Opracowanie sprawozdania z ćwiczeń laboratoryjnych6
A-L-4Udział w konsultacjach do ćwiczeń laboratoryjnych3
30
(*) 1 punkt ECTS, odpowiada około 30 godzinom aktywności studenta

Formy aktywności - wykłady

KODForma aktywnościGodziny
A-W-1Uczestnictwo w wykładach.15
A-W-2Przygotowanie do egzaminu.15
A-W-3Studiowanie literatury.15
A-W-4Udział w konsultacjach.15
60
(*) 1 punkt ECTS, odpowiada około 30 godzinom aktywności studenta
PoleKODZnaczenie kodu
Zamierzone efekty kształceniaET_1A_C03_W06Student ma wiedzę z zakresu budowy i zasad działania podstawowych elementów półprzewodnikowych niezbędną do wykorzystania tych elementów w bardziej złożonych zespołach półprzewodnikowych
Odniesienie do efektów kształcenia dla kierunku studiówET_1A_W05Ma podstawową wiedzę w zakresie materiałów stosowanych w elektronice i telekomunikacji.
ET_1A_W13Ma uporządkowaną i podbudowaną teoretycznie wiedzę w zakresie działania elementów elektronicznych (w tym elementów optoelektronicznych, elementów mocy, przetworników i czujników), analogowych i cyfrowych układów elektronicznych oraz prostych systemów elektronicznych.
ET_1A_W16Ma podstawową wiedzę w zakresie zasad projektowania i wytwarzania elektronicznych i fotonicznych układów scalonych.
Odniesienie do efektów zdefiniowanych dla obszaru kształceniaT1A_W02ma podstawową wiedzę w zakresie kierunków studiów powiązanych ze studiowanym kierunkiem studiów
T1A_W03ma uporządkowaną, podbudowaną teoretycznie wiedzę ogólną obejmującą kluczowe zagadnienia z zakresu studiowanego kierunku studiów
T1A_W04ma szczegółową wiedzę związaną z wybranymi zagadnieniami z zakresu studiowanego kierunku studiów
T1A_W07zna podstawowe metody, techniki, narzędzia i materiały stosowane przy rozwiązywaniu prostych zadań inżynierskich z zakresu studiowanego kierunku studiów
Odniesienie do efektów kształcenia prowadzących do uzyskania tytułu zawodowego inżynieraInzA_W02zna podstawowe metody, techniki, narzędzia i materiały stosowane przy rozwiązywaniu prostych zadań inżynierskich z zakresu studiowanego kierunku studiów
Cel przedmiotuC-1Zdobycie wiedzy na temat parametrów fizycznych i technologicznych materiałów stosowanych do konstrukcji nowoczesnych elementów półprzewodnikowych.
C-2Zdobycie wiedzy na temat budowy oraz zasad działania różnych typów dyskretnych elementów półprzewodnikowych.
C-3Wyrobienie umiejętności wyboru właściwych materiałów do konstrukcji elementów półprzewodnikowych oraz właściwych elementów do konstrukcji układów elektrycznych oraz umiejętnosci wyboru określonych układów scalonych w praktycznych aplikacjach układowych.
C-4Wypracowanie umiejętności doboru przyrządów półprzewodnikowych z oferty handlowej producentów.
C-5Wyrobienie umiejętności diagnozowania uszkodzeń elementów półprzewodnikowych.
C-6Zdobycie umiejętności pomiarów charakterystyk i parametrów elementów półprzewodnikowych.
Treści programoweT-W-1Energetyczny model pasmowy. Złącze p-n. Zjawiska fizyczne w złączu niespolaryzowanym i spolaryzowanym. Charakterystyka statyczna złącza. Wpływ temperatury na właściwości złącza. Właściwości impulsowe złącza. Przebicie złącza.
T-W-3Tranzystor bipolarny. Rodzaje, oznaczenia i zasada działania. Zakresy pracy i konfiguracje. Charakterystyki statyczne. Wpływ temperatury na właściwości tranzystora. Podstawowe zastosowania. Typy uszkodzeń i diagnostyka.
T-W-2Diody półprzewodnikowe. Budowa, właściwości, parametry, oznaczenia, charakterystyki, zastosowanie i podstawowe układy pracy diod: prostowniczych, uniwersalnych, stabilizacyjnych, impulsowych, pojemnościowych. Uszkodzenia i diagnostyka.
T-W-4Tranzystor polowy. Zasada pracy, oznaczenia i klasyfikacja. Tranzystory złączowe. Tranzystory z izolowaną bramką. Charakterystyki statyczne. Zakresy pracy i parametry. Przykłady zastosowań. Typy uszkodzeń i diagnostyka.
T-W-6Układy scalone analogowe i cyfrowe. Technologia wytwarzania układów scalonych. Przykłady analogowych i cyfrowych układów scalonych. Układy scalone w optoelektronice.
T-A-5Obliczanie parametrów statycznych i dynamicznych tranzystora bipolarnego.
T-A-6Obliczanie parametrów statycznych i dynamicznych tranzystora unipolarnego.
T-L-2Badanie diod półprzewodnikowych
T-L-3Badanie tranzystorów bipolarnych
T-L-4Badanie tranzystorów unipolarnych
Metody nauczaniaM-1Wykład informacyjny z użyciem rzutnika pisma/projektora multimedialnego.
M-2Ćwiczenia laboratoryjne.
M-3Ćwiczenia audytoryjne.
M-4Kolokwia sprawdzające przygotowanie do ćwiczeń oraz podczas prowadzenia ćwiczeń laboratoryjnych i audytoryjnych.
Sposób ocenyS-1Ocena formująca: Egzamin pisemny + ustny (przy braku jednoznacznej oceny z egzaminu pisemnego).
S-2Ocena podsumowująca: Kolokwia zaliczające ćwiczenia audytoryjne i laboratoryjne.
S-3Ocena formująca: Aktywność na wykładzie i podczas ćwiczeń audytoryjnych i laboratoryjnych.
Kryteria ocenyOcenaKryterium oceny
2,0
3,0Student ma wiedzę z zakresu budowy i zasad działania podstawowych elementów półprzewodnikowych niezbędną do wykorzystania tych elementów w bardziej złożonych zespołach półprzewodnikowych
3,5
4,0
4,5
5,0
PoleKODZnaczenie kodu
Zamierzone efekty kształceniaET_1A_C03_U01Student potrafi wykorzystać poznane metody i proste modele matematyczne do analizy i oceny działania elementów półprzewodnikowych.
Odniesienie do efektów kształcenia dla kierunku studiówET_1A_U06Potrafi wykorzystać poznane metody i modele matematyczne, a także symulacje komputerowe do analizy oraz oceny działania elementów i układów elektronicznych, a także prostych systemów telekomunikacyjnych.
ET_1A_U10Potrafi posłużyć się właściwie dobranymi metodami i urządzeniami umożliwiającymi pomiar podstawowych wielkości charakteryzujących elementy, układy elektroniczne i światłowodowe oraz systemy telekomunikacyjne.
ET_1A_U11Potrafi zaplanować i przeprowadzić symulacje oraz pomiary charakterystyk elektrycznych i optycznych, a także wyznaczać podstawowe parametry charakteryzujące elementy i układy elektroniczne oraz sieci telekomunikacyjne; potrafi przedstawić otrzymane wyniki w formie liczbowej i graficznej, dokonać ich interpretacji i wyciągnąć właściwe wnioski.
Odniesienie do efektów zdefiniowanych dla obszaru kształceniaT1A_U08potrafi planować i przeprowadzać eksperymenty, w tym pomiary i symulacje komputerowe, interpretować uzyskane wyniki i wyciągać wnioski
T1A_U09potrafi wykorzystać do formułowania i rozwiązywania zadań inżynierskich metody analityczne, symulacyjne oraz eksperymentalne
Odniesienie do efektów kształcenia prowadzących do uzyskania tytułu zawodowego inżynieraInzA_U01potrafi planować i przeprowadzać eksperymenty, w tym pomiary i symulacje komputerowe, interpretować uzyskane wyniki i wyciągać wnioski
InzA_U02potrafi wykorzystać do formułowania i rozwiązywania zadań inżynierskich metody analityczne, symulacyjne oraz eksperymentalne
InzA_U05potrafi dokonać krytycznej analizy sposobu funkcjonowania i ocenić - zwłaszcza w powiązaniu ze studiowanym kierunkiem studiów - istniejące rozwiązania techniczne, w szczególności urządzenia, obiekty, systemy, procesy, usługi
Cel przedmiotuC-1Zdobycie wiedzy na temat parametrów fizycznych i technologicznych materiałów stosowanych do konstrukcji nowoczesnych elementów półprzewodnikowych.
C-2Zdobycie wiedzy na temat budowy oraz zasad działania różnych typów dyskretnych elementów półprzewodnikowych.
C-3Wyrobienie umiejętności wyboru właściwych materiałów do konstrukcji elementów półprzewodnikowych oraz właściwych elementów do konstrukcji układów elektrycznych oraz umiejętnosci wyboru określonych układów scalonych w praktycznych aplikacjach układowych.
C-4Wypracowanie umiejętności doboru przyrządów półprzewodnikowych z oferty handlowej producentów.
C-5Wyrobienie umiejętności diagnozowania uszkodzeń elementów półprzewodnikowych.
C-6Zdobycie umiejętności pomiarów charakterystyk i parametrów elementów półprzewodnikowych.
Treści programoweT-W-3Tranzystor bipolarny. Rodzaje, oznaczenia i zasada działania. Zakresy pracy i konfiguracje. Charakterystyki statyczne. Wpływ temperatury na właściwości tranzystora. Podstawowe zastosowania. Typy uszkodzeń i diagnostyka.
T-W-2Diody półprzewodnikowe. Budowa, właściwości, parametry, oznaczenia, charakterystyki, zastosowanie i podstawowe układy pracy diod: prostowniczych, uniwersalnych, stabilizacyjnych, impulsowych, pojemnościowych. Uszkodzenia i diagnostyka.
T-W-4Tranzystor polowy. Zasada pracy, oznaczenia i klasyfikacja. Tranzystory złączowe. Tranzystory z izolowaną bramką. Charakterystyki statyczne. Zakresy pracy i parametry. Przykłady zastosowań. Typy uszkodzeń i diagnostyka.
T-W-6Układy scalone analogowe i cyfrowe. Technologia wytwarzania układów scalonych. Przykłady analogowych i cyfrowych układów scalonych. Układy scalone w optoelektronice.
T-A-4Kolokwium z pierwszej części zajęć.
T-A-5Obliczanie parametrów statycznych i dynamicznych tranzystora bipolarnego.
T-A-6Obliczanie parametrów statycznych i dynamicznych tranzystora unipolarnego.
T-L-2Badanie diod półprzewodnikowych
T-L-3Badanie tranzystorów bipolarnych
T-L-4Badanie tranzystorów unipolarnych
Metody nauczaniaM-1Wykład informacyjny z użyciem rzutnika pisma/projektora multimedialnego.
M-2Ćwiczenia laboratoryjne.
M-3Ćwiczenia audytoryjne.
M-4Kolokwia sprawdzające przygotowanie do ćwiczeń oraz podczas prowadzenia ćwiczeń laboratoryjnych i audytoryjnych.
Sposób ocenyS-1Ocena formująca: Egzamin pisemny + ustny (przy braku jednoznacznej oceny z egzaminu pisemnego).
S-2Ocena podsumowująca: Kolokwia zaliczające ćwiczenia audytoryjne i laboratoryjne.
S-3Ocena formująca: Aktywność na wykładzie i podczas ćwiczeń audytoryjnych i laboratoryjnych.
Kryteria ocenyOcenaKryterium oceny
2,0
3,0Student potrafi wykorzystać poznane metody i proste modele matematyczne do analizy i oceny działania elementów półprzewodnikowych.
3,5
4,0
4,5
5,0
PoleKODZnaczenie kodu
Zamierzone efekty kształceniaET_1A_C03_U02Student potrafi pracować indywidualnie i w zespole, a także kierować małym zespołem
Odniesienie do efektów kształcenia dla kierunku studiówET_1A_U06Potrafi wykorzystać poznane metody i modele matematyczne, a także symulacje komputerowe do analizy oraz oceny działania elementów i układów elektronicznych, a także prostych systemów telekomunikacyjnych.
ET_1A_U10Potrafi posłużyć się właściwie dobranymi metodami i urządzeniami umożliwiającymi pomiar podstawowych wielkości charakteryzujących elementy, układy elektroniczne i światłowodowe oraz systemy telekomunikacyjne.
ET_1A_U11Potrafi zaplanować i przeprowadzić symulacje oraz pomiary charakterystyk elektrycznych i optycznych, a także wyznaczać podstawowe parametry charakteryzujące elementy i układy elektroniczne oraz sieci telekomunikacyjne; potrafi przedstawić otrzymane wyniki w formie liczbowej i graficznej, dokonać ich interpretacji i wyciągnąć właściwe wnioski.
Odniesienie do efektów zdefiniowanych dla obszaru kształceniaT1A_U08potrafi planować i przeprowadzać eksperymenty, w tym pomiary i symulacje komputerowe, interpretować uzyskane wyniki i wyciągać wnioski
T1A_U09potrafi wykorzystać do formułowania i rozwiązywania zadań inżynierskich metody analityczne, symulacyjne oraz eksperymentalne
Odniesienie do efektów kształcenia prowadzących do uzyskania tytułu zawodowego inżynieraInzA_U01potrafi planować i przeprowadzać eksperymenty, w tym pomiary i symulacje komputerowe, interpretować uzyskane wyniki i wyciągać wnioski
InzA_U02potrafi wykorzystać do formułowania i rozwiązywania zadań inżynierskich metody analityczne, symulacyjne oraz eksperymentalne
InzA_U05potrafi dokonać krytycznej analizy sposobu funkcjonowania i ocenić - zwłaszcza w powiązaniu ze studiowanym kierunkiem studiów - istniejące rozwiązania techniczne, w szczególności urządzenia, obiekty, systemy, procesy, usługi
Cel przedmiotuC-1Zdobycie wiedzy na temat parametrów fizycznych i technologicznych materiałów stosowanych do konstrukcji nowoczesnych elementów półprzewodnikowych.
C-2Zdobycie wiedzy na temat budowy oraz zasad działania różnych typów dyskretnych elementów półprzewodnikowych.
C-3Wyrobienie umiejętności wyboru właściwych materiałów do konstrukcji elementów półprzewodnikowych oraz właściwych elementów do konstrukcji układów elektrycznych oraz umiejętnosci wyboru określonych układów scalonych w praktycznych aplikacjach układowych.
C-4Wypracowanie umiejętności doboru przyrządów półprzewodnikowych z oferty handlowej producentów.
C-5Wyrobienie umiejętności diagnozowania uszkodzeń elementów półprzewodnikowych.
C-6Zdobycie umiejętności pomiarów charakterystyk i parametrów elementów półprzewodnikowych.
Treści programoweT-W-3Tranzystor bipolarny. Rodzaje, oznaczenia i zasada działania. Zakresy pracy i konfiguracje. Charakterystyki statyczne. Wpływ temperatury na właściwości tranzystora. Podstawowe zastosowania. Typy uszkodzeń i diagnostyka.
T-W-2Diody półprzewodnikowe. Budowa, właściwości, parametry, oznaczenia, charakterystyki, zastosowanie i podstawowe układy pracy diod: prostowniczych, uniwersalnych, stabilizacyjnych, impulsowych, pojemnościowych. Uszkodzenia i diagnostyka.
T-W-4Tranzystor polowy. Zasada pracy, oznaczenia i klasyfikacja. Tranzystory złączowe. Tranzystory z izolowaną bramką. Charakterystyki statyczne. Zakresy pracy i parametry. Przykłady zastosowań. Typy uszkodzeń i diagnostyka.
T-W-5Przyrządy przełączające. Rodzaje elementów przełączających. Zasada działania, budowa, parametry, charakterystyki triaków i tyrystorów. Sposoby i układy włączania i wyłączania tyrystorów. Zastosowania elementów przełączających. Sposoby odprowadzania ciepła z elementów półprzewodnikowych.
T-W-6Układy scalone analogowe i cyfrowe. Technologia wytwarzania układów scalonych. Przykłady analogowych i cyfrowych układów scalonych. Układy scalone w optoelektronice.
T-A-5Obliczanie parametrów statycznych i dynamicznych tranzystora bipolarnego.
T-A-6Obliczanie parametrów statycznych i dynamicznych tranzystora unipolarnego.
T-L-4Badanie tranzystorów unipolarnych
Metody nauczaniaM-1Wykład informacyjny z użyciem rzutnika pisma/projektora multimedialnego.
M-2Ćwiczenia laboratoryjne.
M-3Ćwiczenia audytoryjne.
M-4Kolokwia sprawdzające przygotowanie do ćwiczeń oraz podczas prowadzenia ćwiczeń laboratoryjnych i audytoryjnych.
Sposób ocenyS-1Ocena formująca: Egzamin pisemny + ustny (przy braku jednoznacznej oceny z egzaminu pisemnego).
S-2Ocena podsumowująca: Kolokwia zaliczające ćwiczenia audytoryjne i laboratoryjne.
S-3Ocena formująca: Aktywność na wykładzie i podczas ćwiczeń audytoryjnych i laboratoryjnych.
Kryteria ocenyOcenaKryterium oceny
2,0
3,0Student potrafi pracować indywidualnie i w zespole, a także kierować małym zespołem
3,5
4,0
4,5
5,0
PoleKODZnaczenie kodu
Zamierzone efekty kształceniaET_1A_C03_U03Student potrafi opracować dokumentację wyników realizacji eksperymentu oraz sporządzić opracowanie zawierające omówienie tych wyników
Odniesienie do efektów kształcenia dla kierunku studiówET_1A_U06Potrafi wykorzystać poznane metody i modele matematyczne, a także symulacje komputerowe do analizy oraz oceny działania elementów i układów elektronicznych, a także prostych systemów telekomunikacyjnych.
ET_1A_U10Potrafi posłużyć się właściwie dobranymi metodami i urządzeniami umożliwiającymi pomiar podstawowych wielkości charakteryzujących elementy, układy elektroniczne i światłowodowe oraz systemy telekomunikacyjne.
ET_1A_U11Potrafi zaplanować i przeprowadzić symulacje oraz pomiary charakterystyk elektrycznych i optycznych, a także wyznaczać podstawowe parametry charakteryzujące elementy i układy elektroniczne oraz sieci telekomunikacyjne; potrafi przedstawić otrzymane wyniki w formie liczbowej i graficznej, dokonać ich interpretacji i wyciągnąć właściwe wnioski.
Odniesienie do efektów zdefiniowanych dla obszaru kształceniaT1A_U08potrafi planować i przeprowadzać eksperymenty, w tym pomiary i symulacje komputerowe, interpretować uzyskane wyniki i wyciągać wnioski
T1A_U09potrafi wykorzystać do formułowania i rozwiązywania zadań inżynierskich metody analityczne, symulacyjne oraz eksperymentalne
Odniesienie do efektów kształcenia prowadzących do uzyskania tytułu zawodowego inżynieraInzA_U01potrafi planować i przeprowadzać eksperymenty, w tym pomiary i symulacje komputerowe, interpretować uzyskane wyniki i wyciągać wnioski
InzA_U02potrafi wykorzystać do formułowania i rozwiązywania zadań inżynierskich metody analityczne, symulacyjne oraz eksperymentalne
InzA_U05potrafi dokonać krytycznej analizy sposobu funkcjonowania i ocenić - zwłaszcza w powiązaniu ze studiowanym kierunkiem studiów - istniejące rozwiązania techniczne, w szczególności urządzenia, obiekty, systemy, procesy, usługi
Cel przedmiotuC-2Zdobycie wiedzy na temat budowy oraz zasad działania różnych typów dyskretnych elementów półprzewodnikowych.
C-3Wyrobienie umiejętności wyboru właściwych materiałów do konstrukcji elementów półprzewodnikowych oraz właściwych elementów do konstrukcji układów elektrycznych oraz umiejętnosci wyboru określonych układów scalonych w praktycznych aplikacjach układowych.
C-4Wypracowanie umiejętności doboru przyrządów półprzewodnikowych z oferty handlowej producentów.
C-5Wyrobienie umiejętności diagnozowania uszkodzeń elementów półprzewodnikowych.
C-6Zdobycie umiejętności pomiarów charakterystyk i parametrów elementów półprzewodnikowych.
Treści programoweT-W-3Tranzystor bipolarny. Rodzaje, oznaczenia i zasada działania. Zakresy pracy i konfiguracje. Charakterystyki statyczne. Wpływ temperatury na właściwości tranzystora. Podstawowe zastosowania. Typy uszkodzeń i diagnostyka.
T-W-2Diody półprzewodnikowe. Budowa, właściwości, parametry, oznaczenia, charakterystyki, zastosowanie i podstawowe układy pracy diod: prostowniczych, uniwersalnych, stabilizacyjnych, impulsowych, pojemnościowych. Uszkodzenia i diagnostyka.
T-W-4Tranzystor polowy. Zasada pracy, oznaczenia i klasyfikacja. Tranzystory złączowe. Tranzystory z izolowaną bramką. Charakterystyki statyczne. Zakresy pracy i parametry. Przykłady zastosowań. Typy uszkodzeń i diagnostyka.
T-W-6Układy scalone analogowe i cyfrowe. Technologia wytwarzania układów scalonych. Przykłady analogowych i cyfrowych układów scalonych. Układy scalone w optoelektronice.
T-A-5Obliczanie parametrów statycznych i dynamicznych tranzystora bipolarnego.
T-A-6Obliczanie parametrów statycznych i dynamicznych tranzystora unipolarnego.
T-L-2Badanie diod półprzewodnikowych
T-L-3Badanie tranzystorów bipolarnych
T-L-4Badanie tranzystorów unipolarnych
Metody nauczaniaM-1Wykład informacyjny z użyciem rzutnika pisma/projektora multimedialnego.
M-2Ćwiczenia laboratoryjne.
M-3Ćwiczenia audytoryjne.
M-4Kolokwia sprawdzające przygotowanie do ćwiczeń oraz podczas prowadzenia ćwiczeń laboratoryjnych i audytoryjnych.
Sposób ocenyS-1Ocena formująca: Egzamin pisemny + ustny (przy braku jednoznacznej oceny z egzaminu pisemnego).
S-2Ocena podsumowująca: Kolokwia zaliczające ćwiczenia audytoryjne i laboratoryjne.
S-3Ocena formująca: Aktywność na wykładzie i podczas ćwiczeń audytoryjnych i laboratoryjnych.
Kryteria ocenyOcenaKryterium oceny
2,0
3,0Student potrafi opracować dokumentację wyników realizacji eksperymentu oraz sporządzić opracowanie zawierające omówienie tych wyników
3,5
4,0
4,5
5,0
PoleKODZnaczenie kodu
Zamierzone efekty kształceniaET_1A_C03_U04Student potrafi przygotować prezentację oraz przeprowadzić dyskusję na jej temat
Odniesienie do efektów kształcenia dla kierunku studiówET_1A_U06Potrafi wykorzystać poznane metody i modele matematyczne, a także symulacje komputerowe do analizy oraz oceny działania elementów i układów elektronicznych, a także prostych systemów telekomunikacyjnych.
ET_1A_U10Potrafi posłużyć się właściwie dobranymi metodami i urządzeniami umożliwiającymi pomiar podstawowych wielkości charakteryzujących elementy, układy elektroniczne i światłowodowe oraz systemy telekomunikacyjne.
ET_1A_U11Potrafi zaplanować i przeprowadzić symulacje oraz pomiary charakterystyk elektrycznych i optycznych, a także wyznaczać podstawowe parametry charakteryzujące elementy i układy elektroniczne oraz sieci telekomunikacyjne; potrafi przedstawić otrzymane wyniki w formie liczbowej i graficznej, dokonać ich interpretacji i wyciągnąć właściwe wnioski.
Odniesienie do efektów zdefiniowanych dla obszaru kształceniaT1A_U08potrafi planować i przeprowadzać eksperymenty, w tym pomiary i symulacje komputerowe, interpretować uzyskane wyniki i wyciągać wnioski
T1A_U09potrafi wykorzystać do formułowania i rozwiązywania zadań inżynierskich metody analityczne, symulacyjne oraz eksperymentalne
Odniesienie do efektów kształcenia prowadzących do uzyskania tytułu zawodowego inżynieraInzA_U01potrafi planować i przeprowadzać eksperymenty, w tym pomiary i symulacje komputerowe, interpretować uzyskane wyniki i wyciągać wnioski
InzA_U02potrafi wykorzystać do formułowania i rozwiązywania zadań inżynierskich metody analityczne, symulacyjne oraz eksperymentalne
InzA_U05potrafi dokonać krytycznej analizy sposobu funkcjonowania i ocenić - zwłaszcza w powiązaniu ze studiowanym kierunkiem studiów - istniejące rozwiązania techniczne, w szczególności urządzenia, obiekty, systemy, procesy, usługi
Cel przedmiotuC-1Zdobycie wiedzy na temat parametrów fizycznych i technologicznych materiałów stosowanych do konstrukcji nowoczesnych elementów półprzewodnikowych.
C-2Zdobycie wiedzy na temat budowy oraz zasad działania różnych typów dyskretnych elementów półprzewodnikowych.
C-3Wyrobienie umiejętności wyboru właściwych materiałów do konstrukcji elementów półprzewodnikowych oraz właściwych elementów do konstrukcji układów elektrycznych oraz umiejętnosci wyboru określonych układów scalonych w praktycznych aplikacjach układowych.
C-4Wypracowanie umiejętności doboru przyrządów półprzewodnikowych z oferty handlowej producentów.
C-5Wyrobienie umiejętności diagnozowania uszkodzeń elementów półprzewodnikowych.
C-6Zdobycie umiejętności pomiarów charakterystyk i parametrów elementów półprzewodnikowych.
Treści programoweT-W-3Tranzystor bipolarny. Rodzaje, oznaczenia i zasada działania. Zakresy pracy i konfiguracje. Charakterystyki statyczne. Wpływ temperatury na właściwości tranzystora. Podstawowe zastosowania. Typy uszkodzeń i diagnostyka.
T-W-2Diody półprzewodnikowe. Budowa, właściwości, parametry, oznaczenia, charakterystyki, zastosowanie i podstawowe układy pracy diod: prostowniczych, uniwersalnych, stabilizacyjnych, impulsowych, pojemnościowych. Uszkodzenia i diagnostyka.
T-W-4Tranzystor polowy. Zasada pracy, oznaczenia i klasyfikacja. Tranzystory złączowe. Tranzystory z izolowaną bramką. Charakterystyki statyczne. Zakresy pracy i parametry. Przykłady zastosowań. Typy uszkodzeń i diagnostyka.
T-W-6Układy scalone analogowe i cyfrowe. Technologia wytwarzania układów scalonych. Przykłady analogowych i cyfrowych układów scalonych. Układy scalone w optoelektronice.
T-A-5Obliczanie parametrów statycznych i dynamicznych tranzystora bipolarnego.
T-A-6Obliczanie parametrów statycznych i dynamicznych tranzystora unipolarnego.
T-L-2Badanie diod półprzewodnikowych
T-L-3Badanie tranzystorów bipolarnych
T-L-4Badanie tranzystorów unipolarnych
Metody nauczaniaM-1Wykład informacyjny z użyciem rzutnika pisma/projektora multimedialnego.
M-2Ćwiczenia laboratoryjne.
M-3Ćwiczenia audytoryjne.
M-4Kolokwia sprawdzające przygotowanie do ćwiczeń oraz podczas prowadzenia ćwiczeń laboratoryjnych i audytoryjnych.
Sposób ocenyS-1Ocena formująca: Egzamin pisemny + ustny (przy braku jednoznacznej oceny z egzaminu pisemnego).
S-2Ocena podsumowująca: Kolokwia zaliczające ćwiczenia audytoryjne i laboratoryjne.
S-3Ocena formująca: Aktywność na wykładzie i podczas ćwiczeń audytoryjnych i laboratoryjnych.
Kryteria ocenyOcenaKryterium oceny
2,0
3,0Student potrafi przygotować prezentację oraz przeprowadzić dyskusję na jej temat
3,5
4,0
4,5
5,0