Wydział Technologii i Inżynierii Chemicznej - Inżynieria Materiałów i Nanomateriałów (S2)
Sylabus przedmiotu Materiały i nanomateriały w elektronice:
Informacje podstawowe
| Kierunek studiów | Inżynieria Materiałów i Nanomateriałów | ||
|---|---|---|---|
| Forma studiów | studia stacjonarne | Poziom | drugiego stopnia |
| Tytuł zawodowy absolwenta | magister inżynier | ||
| Obszary studiów | charakterystyki PRK, kompetencje inżynierskie PRK | ||
| Profil | ogólnoakademicki | ||
| Moduł | — | ||
| Przedmiot | Materiały i nanomateriały w elektronice | ||
| Specjalność | Inżynieria materiałowa i nanotechnologia | ||
| Jednostka prowadząca | Katedra Technologii Chemicznej Nieorganicznej i Inżynierii Środowiska | ||
| Nauczyciel odpowiedzialny | Dariusz Moszyński <Dariusz.Moszynski@zut.edu.pl> | ||
| Inni nauczyciele | |||
| ECTS (planowane) | 1,0 | ECTS (formy) | 1,0 |
| Forma zaliczenia | egzamin | Język | polski |
| Blok obieralny | — | Grupa obieralna | — |
Wymagania wstępne
| KOD | Wymaganie wstępne |
|---|---|
| W-1 | brak |
Cele przedmiotu
| KOD | Cel modułu/przedmiotu |
|---|---|
| C-1 | Zapoznanie studentów z materiałami wykorzystywanymi w elektronce |
| C-2 | Zapoznanie studentów z technologiami wytwarzania elementów elektonicznych |
Treści programowe z podziałem na formy zajęć
| KOD | Treść programowa | Godziny |
|---|---|---|
| wykłady | ||
| T-W-1 | Wytwarzanie czystych materiałów do produkcji elementów półprzewodnikowych | 4 |
| T-W-2 | Procesy wytwarzania półprzewodnikowych elementów elektroniki: Proces litograficzny | 5 |
| T-W-3 | Procesy wytwarzania cienkich warstw | 3 |
| T-W-4 | Metody charakteryzacji materiałów wykorzystywanych w elektronice | 2 |
| T-W-5 | Produkcja układów scalonych | 1 |
| 15 | ||
Obciążenie pracą studenta - formy aktywności
| KOD | Forma aktywności | Godziny |
|---|---|---|
| wykłady | ||
| A-W-1 | uczestnictwo w zajęciach | 15 |
| A-W-2 | zapoznanie się z literaturą przedmiotu | 6 |
| A-W-3 | przygotowanie się do zaliczenia | 4 |
| A-W-4 | Konsultacje | 3 |
| A-W-5 | Egzamin | 2 |
| 30 | ||
Metody nauczania / narzędzia dydaktyczne
| KOD | Metoda nauczania / narzędzie dydaktyczne |
|---|---|
| M-1 | Wykład problemowy |
| M-2 | Metoda przypadków |
Sposoby oceny
| KOD | Sposób oceny |
|---|---|
| S-1 | Ocena formująca: sprawdzian pisemny |
| S-2 | Ocena podsumowująca: Egzamin |
Zamierzone efekty uczenia się - wiedza
| Zamierzone efekty uczenia się | Odniesienie do efektów kształcenia dla kierunku studiów | Odniesienie do efektów zdefiniowanych dla obszaru kształcenia | Odniesienie do efektów uczenia się prowadzących do uzyskania tytułu zawodowego inżyniera | Cel przedmiotu | Treści programowe | Metody nauczania | Sposób oceny |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IMiN_2A_D1-05_W01 opisuje zastosowanie materiałów nanometrycznych w elektronice oraz technologie ich wytwarzania | IMiN_2A_W01 | — | — | C-1, C-2 | T-W-1, T-W-2, T-W-3, T-W-5 | M-1, M-2 | S-1 |
| IMiN_2A_D1-05_W02 dobiera sposoby charakteryzacji nanomateriałów wykorzystywanych w elektronice | IMiN_2A_W01 | — | — | C-1 | T-W-4 | M-1, M-2 | S-1 |
Kryterium oceny - wiedza
| Efekt uczenia się | Ocena | Kryterium oceny |
|---|---|---|
| IMiN_2A_D1-05_W01 opisuje zastosowanie materiałów nanometrycznych w elektronice oraz technologie ich wytwarzania | 2,0 | |
| 3,0 | Student zna zastosowania materiałów nanometrycznych w elektronice. Wiedza studenta na temat omawianych zagadnien jest na poziomie 60%. | |
| 3,5 | ||
| 4,0 | ||
| 4,5 | ||
| 5,0 | ||
| IMiN_2A_D1-05_W02 dobiera sposoby charakteryzacji nanomateriałów wykorzystywanych w elektronice | 2,0 | |
| 3,0 | Student zna podstawowemetody fizykochemiczne służące do charakteryzacji materiałów wykorzystywanych w elektronice. Wiedza studneta na temat omawianych zagadnien jest na poziomie 60%. | |
| 3,5 | ||
| 4,0 | ||
| 4,5 | ||
| 5,0 |
Literatura podstawowa
- Praca zbiorowa, Technologie mikroelektroniczne, Politechnika Śląska, Gliwice, 2000
Literatura dodatkowa
- A. Misra, J. D. Hogan, R. Chorush, Handbook of chemicals and gases for the semiconductor industry, Wiley, New York, 2002
- G. S May, S. M. Sze, Fundamentals of semiconductor fabrication, Wiley, New York, 2004